0482 375 222
принимаем заказы с 9:00 до 19:00
4.4 stars, based on 1 reviews

Samsung 850 Evo 1TB (MZ-N5E1T0BW)

Samsung 850 Evo 1TB (MZ-N5E1T0BW). Интернет-магазин ТиД

Продукт участвует в акциях:

Samsung 850 Evo 1TB (MZ-N5E1T0BW)

9923 грн
Купить есть в наличии
сравнить
Артикул: 224788
НАКОПИТЕЛЬ SSD M.2, VNAND ЧТЕНИЕ/ЗАПИСЬ: 540/540MB/S
Купить в кредит

Покупка товара в кредит

Для оформления кредита необходимо нажать кнопку «Купить», перейти к оформлению заказа, либо продолжить покупки и добавить дополнительный товар в «Корзину». Корректно заполнить форму заказа и отправить на рассмотрение. После этого с Вами свяжется менеджер интернет-магазина.

Подробнее о условиях кредитования

Доставка: по всей Украине
Гарантия: 60 мес

Технические характеристики

Ёмкость,Гб 1000
Интерфейс M.2 (SATA)
Тип флеш-памяти NAND 3D V-NAND
Конроллер Samsung MGX Controller
Поддержка TRIM есть
Серия 850 EVO
Форм-фактор,дюйм M.2 (2280)
Максимальная скорость чтения,Мб/с 540
Максимальная скорость записи,Мб/с 520
Среднее время безотказной работы(MTBF),млн. часов 1,5
Стойкость к ударам 1500G/0,5 мс
Размеры,мм 80,15x22,15x2,38
Вес,г 6,5

Описание Samsung 850 Evo 1TB (MZ-N5E1T0BW)

Накопитель SSD M.2 2280 1TB Samsung (MZ-N5E1T0BW) 
Благодаря новейшей технологии Samsung 3D V-NAND, SSD-накопители серии 850 Evo сочетают большой объем и великолепную надежность с непревзойденной скоростью передачи данных и при последовательном, и при случайного доступе к ним.

3D V-NAND
SSD-накопители Samsung изготавливаются с использованием инновационной архитектуры 3D V-NAND, в которой ячейки имеют цилиндрическую форму, устраняющую взаимные помехи, а увеличение емкости достигается за счет расположения их в несколько слоев — без ущерба для надежности хранения данных и скорости работы. Чипы памяти в накопителях серии 850 Evo имеют 32 слоя ячеек, расположенных друг над другом. Такая конструкция позволяет создать память, одновременно емкую, быструю и надежную, преодолев все основные недостатки традиционной планарной NAND-архитектуры. 

Ёмкость,Гб 1000
Интерфейс M.2 (SATA)
Тип флеш-памяти NAND 3D V-NAND
Конроллер Samsung MGX Controller
Поддержка TRIM есть
Серия 850 EVO
Форм-фактор,дюйм M.2 (2280)
Максимальная скорость чтения,Мб/с 540
Максимальная скорость записи,Мб/с 520
Среднее время безотказной работы(MTBF),млн. часов 1,5
Стойкость к ударам 1500G/0,5 мс
Размеры,мм 80,15x22,15x2,38
Вес,г 6,5

Накопитель SSD M.2 2280 1TB Samsung (MZ-N5E1T0BW) 
Благодаря новейшей технологии Samsung 3D V-NAND, SSD-накопители серии 850 Evo сочетают большой объем и великолепную надежность с непревзойденной скоростью передачи данных и при последовательном, и при случайного доступе к ним.

3D V-NAND
SSD-накопители Samsung изготавливаются с использованием инновационной архитектуры 3D V-NAND, в которой ячейки имеют цилиндрическую форму, устраняющую взаимные помехи, а увеличение емкости достигается за счет расположения их в несколько слоев — без ущерба для надежности хранения данных и скорости работы. Чипы памяти в накопителях серии 850 Evo имеют 32 слоя ячеек, расположенных друг над другом. Такая конструкция позволяет создать память, одновременно емкую, быструю и надежную, преодолев все основные недостатки традиционной планарной NAND-архитектуры. 


Быстрый заказ
  • Ответьте на вопрос:
    37 + 33 =
Вход в систему
Восстановление пароля
Регистрация

  • Ответьте на вопрос: 35 + 6 =

Разработка Lafox.Net Team